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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNVMFS5826NLWFT1G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NVMFS5826NLWFT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NVMFS5826NLWFT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NVMFS5826NLWFT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 8A 5DFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fiche technique
NVMFS5826NL.pdf
État RoHS
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NVMFS5826NLWFT1G
onsemi - NVMFS5826NLWFT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NVMFS5826NLWFT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 39W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)  
Numéro de produit de base NVMFS5826  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NVMFS5826NLWFT1G

Attributs du produit NVMFS5826NLWFT1G NVMFS4C03NWFT1G NVMFS4C05NT1G NVMFS4C05NWFT1G
Modèle de produit NVMFS5826NLWFT1G NVMFS4C03NWFT1G NVMFS4C05NT1G NVMFS4C05NWFT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 10A, 10V 2.1mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 25 V 3071 pF @ 15 V 1972 pF @ 15 V 1972 pF @ 15 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 45.2 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Dissipation de puissance (max) 3.6W (Ta), 39W (Tc) 3.71W (Ta), 77W (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc) 3.61W (Ta), 79W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta) 31.4A (Ta), 143A (Tc) 24.7A (Ta), 116A (Tc) 24.7A (Ta), 116A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NVMFS5826 NVMFS4 NVMFS4 NVMFS4

Fiche technique NVMFS5826NLWFT1G PDF

Téléchargez NVMFS5826NLWFT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NVMFS5826NLWFT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev EOL 21/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
NVMFS5826NL.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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