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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTTFS4930NTAG
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTTFS4930NTAG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTTFS4930NTAG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTTFS4930NTAG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
NTTFS4930.pdf
État RoHS
En stock: 94110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTTFS4930NTAG
onsemi - NTTFS4930NTAG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTTFS4930NTAG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 790mW (Ta), 20.2W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 476 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta), 23A (Tc)  
Numéro de produit de base NTTFS4930  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTTFS4930NTAG

Attributs du produit NTTFS4930NTAG NTTFS4932NTAG NTTFS4939NTAG NTTFS4930NTAG
Modèle de produit NTTFS4930NTAG NTTFS4932NTAG NTTFS4939NTAG NTTFS4930NTAG
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Package composant fournisseur 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3) 8-WDFN (3.3x3.3)
Dissipation de puissance (max) 790mW (Ta), 20.2W (Tc) 850mW (Ta), 43W (Tc) 850mW (Ta), 29.8W (Tc) 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 6A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 23mOhm @ 6A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 46.5 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V 5.5 nC @ 4.5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta), 23A (Tc) 11A (Ta), 79A (Tc) 8.9A (Ta), 52A (Tc) 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 476 pF @ 15 V 3111 pF @ 15 V 1979 pF @ 15 V 476 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - - -
Numéro de produit de base NTTFS4930 NTTFS4932 NTTFS4939 -

Fiche technique NTTFS4930NTAG PDF

Téléchargez NTTFS4930NTAG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTTFS4930NTAG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
NTTFS4930.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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