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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTR4501NT1G
NTR4501NT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTR4501NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTR4501NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTR4501NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
NTR4501N.pdf
État RoHS
En stock: 457580

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTR4501NT1G
onsemi - NTR4501NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTR4501NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.6A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Tj)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Ta)  
Numéro de produit de base NTR4501  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTR4501NT1G

Attributs du produit NTR4501NT1G NTR4101PT1G NTR4502PT3G NTR4170NT1G
Modèle de produit NTR4501NT1G NTR4101PT1G NTR4502PT3G NTR4170NT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V 8.5 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 4.76 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base NTR4501 NTR4101 NTR450 NTR4170
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 3V @ 250µA 1.4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Tj) 420mW (Ta) 400mW (Tj) 480mW (Ta)
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.2A (Ta) 1.8A (Ta) 1.13A (Ta) 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.6A, 4.5V 85mOhm @ 1.6A, 4.5V 200mOhm @ 1.95A, 10V 55mOhm @ 3.2A, 10V
Séries - - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±12V ±8V ±20V ±12V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 2.5V, 10V
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 10 V 675 pF @ 10 V 200 pF @ 15 V 432 pF @ 15 V

Fiche technique NTR4501NT1G PDF

Téléchargez NTR4501NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTR4501NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SOT23 16/Sep/2016.pdf Copper Wire 26/May/2009.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold Compound 07/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
NTR4501N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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