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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTP85N03G
NTP85N03G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTP85N03G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTP85N03G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTP85N03G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 28V 85A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NTB, NTP85N03.pdf
En stock: 3980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTP85N03G
onsemi - NTP85N03G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTP85N03G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 40A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 24 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 28 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc)  
Numéro de produit de base NTP85N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTP85N03G

Attributs du produit NTP85N03G NTP90N02 NTPF125N65S3H NTP75N03R
Modèle de produit NTP85N03G NTP90N02 NTPF125N65S3H NTP75N03R
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Numéro de produit de base NTP85N NTP90N - NTP75N
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 40A, 10V 5.8mOhm @ 90A, 10V 125mOhm @ 12A, 10V 8mOhm @ 20A, 10V
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 85W (Tc) 37W (Tc) 1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc) 90A (Ta) 24A (Tj) 9.7A (Ta)
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 28 V 24 V 650 V 25 V
Emballer Tube Tube - Tube
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220FP TO-220
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 2.1mA 2V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 24 V 2120 pF @ 20 V 2200 pF @ 400 V 1333 pF @ 20 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V 44 nC @ 10 V 13.2 nC @ 5 V

Fiche technique NTP85N03G PDF

Téléchargez NTP85N03G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTP85N03G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
NTB, NTP85N03.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 13/Apr/2009.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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