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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTP6412ANG
NTP6412ANG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTP6412ANG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTP6412ANG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTP6412ANG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 58A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NTB,NTP6412AN.pdf
État RoHS
En stock: 44600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTP6412ANG
onsemi - NTP6412ANG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTP6412ANG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 58A (Tc)  
Numéro de produit de base NTP6412  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTP6412ANG

Attributs du produit NTP6412ANG NTP6448ANG NTP60N06 NTP65N02RG
Modèle de produit NTP6412ANG NTP6448ANG NTP60N06 NTP65N02RG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 3220 pF @ 25 V 1330 pF @ 20 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 60 V 25 V
Numéro de produit de base NTP6412 NTP644 NTP60N NTP65N
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2mOhm @ 58A, 10V 13mOhm @ 76A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 81 nC @ 10 V 9.5 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (max) 167W (Tc) - 2.4W (Ta), 150W (Tj) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 58A (Tc) 80A (Tc) 60A (Ta) 7.6A (Ta), 58A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique NTP6412ANG PDF

Téléchargez NTP6412ANG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTP6412ANG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
Feuilles de données
NTB,NTP6412AN.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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