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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTP45N06
NTP45N06 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTP45N06 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTP45N06
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTP45N06
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NTB,NTP45N06.pdf
En stock: 5220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTP45N06
onsemi - NTP45N06 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTP45N06

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 22.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 125W (Tj)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1725 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Ta)  
Numéro de produit de base NTP45N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTP45N06

Attributs du produit NTP45N06 NTP30N06LG NTP35N15G NTP4302
Modèle de produit NTP45N06 NTP30N06LG NTP35N15G NTP4302
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 100 nC @ 10 V 28 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1725 pF @ 25 V 1150 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 2400 pF @ 24 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tube Tube Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 22.5A, 10V 46mOhm @ 15A, 5V 50mOhm @ 18.5A, 10V 9.3mOhm @ 37A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 150 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 45A (Ta) 30A (Ta) 37A (Ta) 74A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta), 125W (Tj) 88.2W (Tc) 2W (Ta), 178W (Tj) 80W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±15V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base NTP45N NTP30N NTP35N NTP430
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Séries - - - -

Fiche technique NTP45N06 PDF

Téléchargez NTP45N06 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTP45N06 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Jan/2008.pdf
Feuilles de données
NTB,NTP45N06.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTP45N06

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32D-NTP45N06

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