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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTP125N02RG
NTP125N02RG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTP125N02RG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTP125N02RG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTP125N02RG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
NTB,NTP125N02R.pdf
En stock: 3650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTP125N02RG
onsemi - NTP125N02RG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTP125N02RG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 24 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15.9A (Ta)  
Numéro de produit de base NTP125  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTP125N02RG

Attributs du produit NTP125N02RG NTP18N06G NTP18N06LG NTP190N65S3HF
Modèle de produit NTP125N02RG NTP18N06G NTP18N06LG NTP190N65S3HF
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3440 pF @ 20 V 450 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 1610 pF @ 400 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15.9A (Ta) 15A (Tc) 15A (Tc) 20A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 5V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 430µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V 90mOhm @ 7.5A, 10V 100mOhm @ 7.5A, 5V 190mOhm @ 10A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±10V ±30V
Séries - - - FRFET®, SuperFET® III
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V 34 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 24 V 60 V 60 V 650 V
Dissipation de puissance (max) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) 48.4W (Tc) 48.4W (Tc) 162W (Tc)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base NTP125 NTP18N NTP18N NTP190

Fiche technique NTP125N02RG PDF

Téléchargez NTP125N02RG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTP125N02RG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Jul/2009.pdf
Feuilles de données
NTB,NTP125N02R.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTP125N02RG

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