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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTMSD6N303R2G
NTMSD6N303R2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMSD6N303R2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMSD6N303R2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMSD6N303R2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMSD6N303R2.pdf
En stock: 5040

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMSD6N303R2G
onsemi - NTMSD6N303R2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMSD6N303R2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries FETKY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 24 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)  
Numéro de produit de base NTMSD6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMSD6N303R2G

Attributs du produit NTMSD6N303R2G NTMSD3P303R2 NTMTS0D7N06CLTXG NTMSD3P102R2
Modèle de produit NTMSD6N303R2G NTMSD3P303R2 NTMTS0D7N06CLTXG NTMSD3P102R2
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries FETKY™ - - FETKY™
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) - 5W (Ta), 294.6W (Tc) 730mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 30 V - 60 V 20 V
Package composant fournisseur 8-SOIC - 8-DFNW (8.3x8.4) 8-SOIC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 24 V - 16200 pF @ 25 V 750 pF @ 16 V
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 6A, 10V - 0.68mOhm @ 50A, 10V 85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA - 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Numéro de produit de base NTMSD6 NTMSD3 NTMTS0 NTMSD3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel - N-Channel P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) - - Schottky Diode (Isolated)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V - 225 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta) - 62.2A (Ta), 477A (Tc) 2.34A (Ta)

Fiche technique NTMSD6N303R2G PDF

Téléchargez NTMSD6N303R2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMSD6N303R2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Feuilles de données
NTMSD6N303R2.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTMSD6N303R2G

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