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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTMS4700NR2G
NTMS4700NR2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMS4700NR2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMS4700NR2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMS4700NR2G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NTMS4700N.pdf
En stock: 5070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMS4700NR2G
onsemi - NTMS4700NR2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMS4700NR2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 860mW (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 24 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.6A (Ta)  
Numéro de produit de base NTMS47  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMS4700NR2G

Attributs du produit NTMS4700NR2G NTMS4176PR2G NTMS4503NR2 NTMS4706NR2G
Modèle de produit NTMS4700NR2G NTMS4176PR2G NTMS4503NR2 NTMS4706NR2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 28 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 860mW (Ta) 810mW (Ta) 930mW (Ta) 830mW (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base NTMS47 NTMS41 NTMS45 NTMS47
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 24 V 1720 pF @ 24 V 2400 pF @ 16 V 950 pF @ 24 V
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 13A, 10V 18mOhm @ 9.6A, 10V 8mOhm @ 14A, 10V 12mOhm @ 10.3A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.6A (Ta) 5.5A (Ta) 9A (Ta) 6.4A (Ta)

Fiche technique NTMS4700NR2G PDF

Téléchargez NTMS4700NR2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMS4700NR2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 15/May/2006.pdf
Feuilles de données
NTMS4700N.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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