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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTMFS4H013NFT1G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTMFS4H013NFT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTMFS4H013NFT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTMFS4H013NFT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 43A/269A 5DFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN, 5 Leads
Fiche technique
NTMFS4H013NF.pdf
État RoHS
En stock: 4640

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTMFS4H013NFT1G
onsemi - NTMFS4H013NFT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTMFS4H013NFT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta), 104W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3923 pF @ 12 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Ta), 269A (Tc)  
Numéro de produit de base NTMFS4  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTMFS4H013NFT1G

Attributs du produit NTMFS4H013NFT1G NTMFS5844NLT1G NTMFS4C55NT1G NTMFS4C50NT3G
Modèle de produit NTMFS4H013NFT1G NTMFS5844NLT1G NTMFS4C55NT1G NTMFS4C50NT3G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.2V @ 250µA -
Dissipation de puissance (max) 2.7W (Ta), 104W (Tc) 3.7W (Ta), 107W (Tc) 770mW (Ta), 33W (Tc) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3923 pF @ 12 V 1460 pF @ 25 V 1972 pF @ 15 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Séries - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V -
Package / Boîte 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads 8-PowerTDFN, 5 Leads
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 43A (Ta), 269A (Tc) 11.2A (Ta) 11.9A (Ta), 78A (Tc) 21.7A (Ta)
Numéro de produit de base NTMFS4 NTMFS5844 NTMFS4 NTMFS4
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tension drain-source (Vdss) 25 V 60 V 30 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V 3.4mOhm @ 30A, 10V -

Fiche technique NTMFS4H013NFT1G PDF

Téléchargez NTMFS4H013NFT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTMFS4H013NFT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
NTMFS4H013NF.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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