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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTLGD3502NT1G
NTLGD3502NT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTLGD3502NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTLGD3502NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTLGD3502NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Description détaillée
Emballage
6-VDFN Exposed Pad
Fiche technique
NTLGD3502N.pdf
En stock: 3970

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTLGD3502NT1G
onsemi - NTLGD3502NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTLGD3502NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-DFN (3x3)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.3A, 4.5V  
Puissance - Max 1.74W  
Package / Boîte 6-VDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A, 3.6A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTLGD35  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTLGD3502NT1G

Attributs du produit NTLGD3502NT1G NTLJD3115PT1G NTLJD3115PTAG NTLGD3502NT2G
Modèle de produit NTLGD3502NT1G NTLJD3115PT1G NTLJD3115PTAG NTLGD3502NT2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 6-DFN (3x3) 6-WDFN (2x2) 6-WDFN (2x2) 6-DFN (3x3)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 6-VDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-VDFN Exposed Pad
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Séries - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V 6.2nC @ 4.5V 6.2nC @ 4.5V 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.3A, 4.5V 100mOhm @ 2A, 4.5V 100mOhm @ 2A, 4.5V 60mOhm @ 4.3A, 4.5V
Numéro de produit de base NTLGD35 NTLJD3115 NTLJD31 NTLGD3502
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A, 3.6A 2.3A 2.3A 4.3A, 3.6A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Puissance - Max 1.74W 710mW 710mW 1.74W
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V 531pF @ 10V 531pF @ 10V 480pF @ 10V

Fiche technique NTLGD3502NT1G PDF

Téléchargez NTLGD3502NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTLGD3502NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Feuilles de données
NTLGD3502N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NTLGD3502NT1G

onsemi
32D-NTLGD3502NT1G

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