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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNTJD5121NT1G
NTJD5121NT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTJD5121NT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTJD5121NT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTJD5121NT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363
Description détaillée
Emballage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Fiche technique
NTJD5121N, NVJD5121N.pdf
État RoHS
En stock: 558050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTJD5121NT1G
onsemi - NTJD5121NT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTJD5121NT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
Puissance - Max 250mW  
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 60V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 295mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base NTJD5121  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTJD5121NT1G

Attributs du produit NTJD5121NT1G NTJD4158CT1G NTJD4401NT2 NTJD4401NT1
Modèle de produit NTJD5121NT1G NTJD4158CT1G NTJD4401NT2 NTJD4401NT1
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V - 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1.5V @ 100µA - 1.5V @ 250µA
Séries - - - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel - 2 N-Channel (Dual)
Puissance - Max 250mW 270mW - 270mW
Numéro de produit de base NTJD5121 NTJD4158 NTJD44 NTJD4401
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 SC-88/SC70-6/SOT-363 - SC-88/SC70-6/SOT-363
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 295mA 250mA, 880mA - 630mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V 33pF @ 5V - 46pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V 1.5nC @ 5V - 3nC @ 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 60V 30V, 20V - 20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique NTJD5121NT1G PDF

Téléchargez NTJD5121NT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTJD5121NT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/Mat Chg 14/May/2021.pdf
Feuilles de données
NTJD5121N, NVJD5121N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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