Spécifications
Spécifications techniques NTHD3133PFT1G
onsemi - NTHD3133PFT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTHD3133PFT1G
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Fabricant |
onsemi |
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| Vgs (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
±8V |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Package composant fournisseur |
ChipFET™ |
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| Séries |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
80mOhm @ 3.2A, 4.5V |
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| Dissipation de puissance (max) |
1.1W (Ta) |
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| Package / Boîte |
8-SMD, Flat Lead |
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| Emballer |
Tape & Reel (TR) |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
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| Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Type de montage |
Surface Mount |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
680 pF @ 10 V |
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| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs |
7.4 nC @ 4.5 V |
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| type de FET |
P-Channel |
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| Fonction FET |
Schottky Diode (Isolated) |
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| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
1.8V, 4.5V |
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| Tension drain-source (Vdss) |
20 V |
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| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
3.2A (Tj) |
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| Numéro de produit de base |
NTHD31 |
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Mode de transport
Délai de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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NTHD310FT1GAMI Semiconductor/onsemi