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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTF2955PT1G
NTF2955PT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTF2955PT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTF2955PT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTF2955PT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
NTF2955(P)T1.pdf
En stock: 5200

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTF2955PT1G
onsemi - NTF2955PT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTF2955PT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 2.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Ta)  
Numéro de produit de base NTF295  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTF2955PT1G

Attributs du produit NTF2955PT1G NTF3055L175T1G NTF3055-100T1G NTF3055-100T3G
Modèle de produit NTF2955PT1G NTF3055L175T1G NTF3055-100T1G NTF3055-100T3G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±15V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 492 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V 455 pF @ 25 V
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261) SOT-223 (TO-261)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.3 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 2.4A, 10V 175mOhm @ 1A, 5V 110mOhm @ 1.5A, 10V 110mOhm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base NTF295 NTF305 NTF3055 NTF305
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 5V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Ta) 2A (Ta) 3A (Ta) 3A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique NTF2955PT1G PDF

Téléchargez NTF2955PT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTF2955PT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 08/Apr/2011.pdf
Feuilles de données
NTF2955(P)T1.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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