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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD6416ANT4G
NTD6416ANT4G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTD6416ANT4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD6416ANT4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD6416ANT4G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD6416AN.pdf
État RoHS
En stock: 69290

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTD6416ANT4G
onsemi - NTD6416ANT4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD6416ANT4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base NTD6416  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD6416ANT4G

Attributs du produit NTD6416ANT4G NTD6415ANT4G NTD6416ANLT4G NTD65N03RG
Modèle de produit NTD6416ANT4G NTD6415ANT4G NTD6416ANLT4G NTD65N03RG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 16 nC @ 5 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 25 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 1000 pF @ 25 V 1400 pF @ 20 V
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 71W (Tc) 83W (Tc) 71W (Tc) 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 17A, 10V 55mOhm @ 23A, 10V 74mOhm @ 19A, 10V 8.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base NTD6416 NTD64 NTD6416 NTD65
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 23A (Tc) 19A (Tc) 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK DPAK

Fiche technique NTD6416ANT4G PDF

Téléchargez NTD6416ANT4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTD6416ANT4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
NTD6416AN.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 17/Feb/2023.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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