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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD6414ANT4G
NTD6414ANT4G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTD6414ANT4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD6414ANT4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD6414ANT4G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD6414AN.pdf
État RoHS
En stock: 35850

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTD6414ANT4G
onsemi - NTD6414ANT4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD6414ANT4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 32A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)  
Numéro de produit de base NTD6414  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD6414ANT4G

Attributs du produit NTD6414ANT4G NTD6415ANLT4G NTD60N02RT4G NTD6414AN-1G
Modèle de produit NTD6414ANT4G NTD6415ANLT4G NTD60N02RT4G NTD6414AN-1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 32A, 10V 52mOhm @ 10A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V 37mOhm @ 32A, 10V
Package composant fournisseur DPAK DPAK DPAK I-PAK
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Numéro de produit de base NTD6414 NTD6415 NTD60 NTD64
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 25 V 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1450 pF @ 25 V 1024 pF @ 25 V 1330 pF @ 20 V 1450 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc) 83W (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) 100W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc) 23A (Tc) 8.5A (Ta), 32A (Tc) 32A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 40 nC @ 10 V

Fiche technique NTD6414ANT4G PDF

Téléchargez NTD6414ANT4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTD6414ANT4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 17/Feb/2023.pdf
Feuilles de données
NTD6414AN.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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