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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD4970NT4G
NTD4970NT4G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTD4970NT4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD4970NT4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD4970NT4G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD4970N.pdf
En stock: 5470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTD4970NT4G
onsemi - NTD4970NT4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD4970NT4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 774 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.5A (Ta), 36A (Tc)  
Numéro de produit de base NTD49  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD4970NT4G

Attributs du produit NTD4970NT4G NTD50N03R-35G NTD4965N-1G NTD4969NT4G
Modèle de produit NTD4970NT4G NTD50N03R-35G NTD4965N-1G NTD4969NT4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Numéro de produit de base NTD49 NTD50 NTD49 NTD4969
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur DPAK I-Pak I-PAK DPAK
Dissipation de puissance (max) 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) 1.5W (Ta), 50W (Tc) - 1.38W (Ta), 26.3W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 11.5V - 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 30A, 10V 12mOhm @ 30A, 11.5V 4.7mOhm @ 30A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 774 pF @ 15 V 750 pF @ 12 V 1710 pF @ 15 V 837 pF @ 15 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.5A (Ta), 36A (Tc) 7.8A (Ta), 45A (Tc) 13A (Ta), 68A (Tc) 9.4A (Ta), 41A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V 15 nC @ 11.5 V 17.2 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V

Fiche technique NTD4970NT4G PDF

Téléchargez NTD4970NT4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTD4970NT4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
3Q2105 EOL 6/Nov/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013.pdf
Feuilles de données
NTD4970N.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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