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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTD4860NAT4G
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NTD4860NAT4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTD4860NAT4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTD4860NAT4G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NTD4860NAT4G.pdf
Notre certification
En stock: 5050

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NTD4860NAT4G
onsemi - NTD4860NAT4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTD4860NAT4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.28W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1308 pF @ 12 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.4A (Ta), 65A (Tc)  
Numéro de produit de base NTD48  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTD4860NAT4G

Attributs du produit NTD4860NAT4G NTD4863NAT4G NTD4858N-1G NTD4858NT4G
Modèle de produit NTD4860NAT4G NTD4863NAT4G NTD4858N-1G NTD4858NT4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1308 pF @ 12 V 990 pF @ 12 V 1563 pF @ 12 V 1563 pF @ 12 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.5 nC @ 4.5 V 13.5 nC @ 4.5 V 19.2 nC @ 4.5 V 19.2 nC @ 4.5 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 1.28W (Ta), 50W (Tc) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.4A (Ta), 65A (Tc) 9.2A (Ta), 49A (Tc) 11.2A (Ta), 73A (Tc) 11.2A (Ta), 73A (Tc)
Package composant fournisseur DPAK DPAK I-PAK DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 30A, 10V 9.3mOhm @ 30A, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V 6.2mOhm @ 30A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base NTD48 NTD48 NTD48 NTD4858

Fiche technique NTD4860NAT4G PDF

Téléchargez NTD4860NAT4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTD4860NAT4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 10/Oct/2012.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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