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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNTB18N06LG
NTB18N06LG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NTB18N06LG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NTB18N06LG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NTB18N06LG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
NTB,NTP18N06L.pdf
En stock: 3720

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NTB18N06LG
onsemi - NTB18N06LG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NTB18N06LG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 48.4W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc)  
Numéro de produit de base NTB18  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NTB18N06LG

Attributs du produit NTB18N06LG NTB18N06LT4 NTB190N65S3HF NTB13N10T4G
Modèle de produit NTB18N06LG NTB18N06LT4 NTB190N65S3HF NTB13N10T4G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc) 15A (Tc) 20A (Tc) 13A (Ta)
Numéro de produit de base NTB18 NTB18 NTB190 NTB13
Package composant fournisseur D2PAK D2PAK D²PAK-3 (TO-263-3) D2PAK
Dissipation de puissance (max) 48.4W (Tc) 48.4W (Tc) 162W (Tc) 64.7W (Ta)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V 34 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 5V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 430µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±10V ±10V ±30V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V 1610 pF @ 400 V 550 pF @ 25 V
Séries - - FRFET®, SuperFET® III -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 650 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 7.5A, 5V 100mOhm @ 7.5A, 5V 190mOhm @ 10A, 10V 165mOhm @ 6.5A, 10V

Fiche technique NTB18N06LG PDF

Téléchargez NTB18N06LG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NTB18N06LG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Apr/2007.pdf
Feuilles de données
NTB,NTP18N06L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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