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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleNSV40501UW3T2G
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NSV40501UW3T2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NSV40501UW3T2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NSV40501UW3T2G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 40V 5A 3WDFN
Description détaillée
Emballage
3-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
NSS40501UW3T2G.pdf
État RoHS
En stock: 250820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NSV40501UW3T2G
onsemi - NSV40501UW3T2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NSV40501UW3T2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 400mA, 4A  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur 3-WDFN (2x2)  
Séries -  
Puissance - Max 875 mW  
Package / Boîte 3-WDFN Exposed Pad  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 150MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 5 A  
Numéro de produit de base NSV405  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NSV40501UW3T2G

Attributs du produit NSV40501UW3T2G NSV60600MZ4T1G NSV40200LT1G NSV60600MZ4T3G
Modèle de produit NSV40501UW3T2G NSV60600MZ4T1G NSV40200LT1G NSV60600MZ4T3G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 400mA, 4A 350mV @ 600mA, 6A 170mV @ 200mA, 2A 350mV @ 600mA, 6A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Numéro de produit de base NSV405 NSV60600 NSV40200 NSV60600
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V 60 V 40 V 60 V
Transistor Type NPN PNP PNP PNP
Package composant fournisseur 3-WDFN (2x2) SOT-223 (TO-261) SOT-23-3 (TO-236) SOT-223 (TO-261)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 5 A 6 A 2 A 6 A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V 120 @ 1A, 2V 220 @ 500mA, 2V 120 @ 1A, 2V
Fréquence - Transition 150MHz 100MHz 100MHz 100MHz
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 3-WDFN Exposed Pad TO-261-4, TO-261AA TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Puissance - Max 875 mW 800 mW 460 mW 800 mW

Fiche technique NSV40501UW3T2G PDF

Téléchargez NSV40501UW3T2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NSV40501UW3T2G - onsemi.

Feuilles de données
NSS40501UW3T2G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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