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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (bjt) - tableaux, pré-biaisésNSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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NSBC123JDXV6T1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NSBC123JDXV6T1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NSBC123JDXV6T1G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
MUN5235DW1, NSBC123JDXV6, NSBC123JDP6.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 282100

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NSBC123JDXV6T1G
onsemi - NSBC123JDXV6T1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NSBC123JDXV6T1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Package composant fournisseur SOT-563  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms  
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms  
Puissance - Max 500mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition -  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base NSBC123  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NSBC123JDXV6T1G

Attributs du produit NSBC123JDXV6T1G NSBC123JPDXV6T5 NSBC124EPDXV6T1 NSBC123JPDXV6T5G
Modèle de produit NSBC123JDXV6T1G NSBC123JPDXV6T5 NSBC124EPDXV6T1 NSBC123JPDXV6T5G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Puissance - Max 500mW - 500mW 500mW
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA - 100mA 100mA
Type de montage Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NSBC123 NSBC12 NSBC124 NSBC123
Package composant fournisseur SOT-563 - SOT-563 SOT-563
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 - SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V - 60 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Fréquence - Transition - - - -
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms - 22kOhms 2.2kOhms
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) - 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA - 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47kOhms - 22kOhms 47kOhms
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA - 500nA 500nA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V - 50V 50V
Séries - - - -

Fiche technique NSBC123JDXV6T1G PDF

Téléchargez NSBC123JDXV6T1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NSBC123JDXV6T1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
Emballage PCN
Carrier Tape 15/Aug/2017.pdf Mult Devices 27/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Apr/2007.pdf
Feuilles de données
MUN5235DW1, NSBC123JDXV6, NSBC123JDP6.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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