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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleNJT4030PT3G
NJT4030PT3G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NJT4030PT3G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NJT4030PT3G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NJT4030PT3G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP 40V 3A SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
NJT4030P.pdf
État RoHS
En stock: 257180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NJT4030PT3G
onsemi - NJT4030PT3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NJT4030PT3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 300mA, 3A  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261)  
Séries -  
Puissance - Max 2 W  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 160MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 1V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3 A  
Numéro de produit de base NJT4030  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NJT4030PT3G

Attributs du produit NJT4030PT3G ZXTP4003ZTA 2N5306 PBSS4120T
Modèle de produit NJT4030PT3G ZXTP4003ZTA 2N5306 PBSS4120T
Fabricant onsemi Diodes Incorporated onsemi Yangjie Technology
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3 A 1 A 1.2 A -
Puissance - Max 2 W 1.5 W 625 mW -
Transistor Type PNP PNP NPN - Darlington -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) 50nA (ICBO) 100nA (ICBO) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole -
Numéro de produit de base NJT4030 ZXTP4003 2N5306 -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 300mA, 3A - 1.4V @ 200µA, 200mA -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 1V 100 @ 150mA, 200mV 7000 @ 2mA, 5V -
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-243AA TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) -
Fréquence - Transition 160MHz - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V 100 V 25 V -
Package composant fournisseur SOT-223 (TO-261) SOT-89-3 TO-92-3 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Séries - - - -

Fiche technique NJT4030PT3G PDF

Téléchargez NJT4030PT3G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NJT4030PT3G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Covering Tape/Material Chg 20/May/2016.pdf
Conception / spécification PCN
Datasheet MSL Updated 2/April/2007.pdf Wire Bond 01/Dec/2010.pdf
Feuilles de données
NJT4030P.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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NJT4030PT3G

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