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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleNGTB03N60R2DT4G
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NGTB03N60R2DT4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NGTB03N60R2DT4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NGTB03N60R2DT4G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 9A 600V DPAK
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NGTB03N60R2DT4G.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 4270

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NGTB03N60R2DT4G
onsemi - NGTB03N60R2DT4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NGTB03N60R2DT4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A  
Condition de test 300V, 3A, 30Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 27ns/59ns  
énergie de commutation 50µJ (on), 27µJ (off)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 65 ns  
Puissance - Max 49 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 17 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 12 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 9 A  
Numéro de produit de base NGTB03  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NGTB03N60R2DT4G

Attributs du produit NGTB03N60R2DT4G NGTB10N60R2DT4G NGTB15N120IHLWG NGTB15N120LWG
Modèle de produit NGTB03N60R2DT4G NGTB10N60R2DT4G NGTB15N120IHLWG NGTB15N120LWG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 1200 V 1200 V
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 27ns/59ns 48ns/120ns -/165ns 72ns/165ns
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A 2.1V @ 15V, 10A 2.2V @ 15V, 15A 2.2V @ 15V, 15A
Temps de recouvrement inverse (trr) 65 ns 90 ns - -
énergie de commutation 50µJ (on), 27µJ (off) 412µJ (on), 140µJ (off) 560µJ (off) 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Séries - - - -
Puissance - Max 49 W 72 W 156 W 229 W
Numéro de produit de base NGTB03 NGTB10 NGTB15 NGTB15
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 12 A 40 A 120 A 120 A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-247-3 TO-247-3
Température de fonctionnement 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
gate charge 17 nC 53 nC 160 nC 160 nC
Courant - Collecteur (Ic) (max) 9 A 20 A 30 A 30 A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur DPAK DPAK TO-247-3 TO-247-3
Condition de test 300V, 3A, 30Ohm, 15V 300V, 10A, 30Ohm, 15V 600V, 15A, 15Ohm, 15V 600V, 15A, 15Ohm, 15V
type de IGBT - - - Trench Field Stop

Fiche technique NGTB03N60R2DT4G PDF

Téléchargez NGTB03N60R2DT4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NGTB03N60R2DT4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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NGTB03N60R2DT4G

onsemi
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