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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDS9430A
NDS9430A Image
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NDS9430A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDS9430A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDS9430A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NDS9430A.pdf
Notre certification
En stock: 4690

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques NDS9430A
onsemi - NDS9430A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDS9430A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Ta)  
Numéro de produit de base NDS943  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDS9430A

Attributs du produit NDS9430A NDS9430A NDS9435 NDS9435A
Modèle de produit NDS9430A NDS9430A NDS9435 NDS9435A
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base NDS943 - - NDS943
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 15 V 950 pF @ 15 V - 528 pF @ 15 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 50 nC @ 10 V - 14 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.3A (Ta) 5.3A (Ta) 5.3A 5.3A (Ta)
Séries - - SI9xxx PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5.3A, 10V 50mOhm @ 5.3A, 10V - 50mOhm @ 5.3A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V - 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - 3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - 4.5V, 10V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2W 2.5W (Ta)

Fiche technique NDS9430A PDF

Téléchargez NDS9430A PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDS9430A - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 03/Dec/2009.pdf
Feuilles de données
NDS9430A.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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