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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxNDS8858H
NDS8858H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDS8858H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDS8858H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDS8858H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NDS8858H.pdf
En stock: 4390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDS8858H
onsemi - NDS8858H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDS8858H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.8A, 10V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.3A, 4.8A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base NDS885  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDS8858H

Attributs du produit NDS8858H NDS8926 NDS8934 NDS8858H
Modèle de produit NDS8858H NDS8926 NDS8934 NDS8858H
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base NDS885 NDS892 NDS893 NDS885
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.3A, 4.8A 5.5A 3.8A 6.3A, 4.8A
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 2.8V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 15V 760pF @ 10V 1120pF @ 10V 720pF @ 15V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Puissance - Max 1W 900mW 900mW 1W
Séries - - - -
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.8A, 10V 35mOhm @ 5.5A, 4.5V 70mOhm @ 3.8A, 4.5V 35mOhm @ 4.8A, 10V
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 30nC @ 4.5V 30nC @ 4.5V 30nC @ 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V 20V 30V

Fiche technique NDS8858H PDF

Téléchargez NDS8858H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDS8858H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
NDS8858H.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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