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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDS356AP-NB8L005A
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDS356AP-NB8L005A - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDS356AP-NB8L005A
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDS356AP-NB8L005A
Modèle ECAD
Description des pièces
-30V P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHAN
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
NDS356AP.pdf
En stock: 4290

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Spécifications

Spécifications techniques NDS356AP-NB8L005A
onsemi - NDS356AP-NB8L005A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDS356AP-NB8L005A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.4 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDS356AP-NB8L005A

Attributs du produit NDS356AP-NB8L005A NDS355AN-NB9L007A NDS356P NDS356AP
Modèle de produit NDS356AP-NB8L005A NDS355AN-NB9L007A NDS356P NDS356AP
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 210mOhm @ 1.3A, 10V 200mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V 195 pF @ 15 V 180 pF @ 10 V 280 pF @ 10 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.4 nC @ 5 V 5 nC @ 5 V 5 nC @ 5 V 4.4 nC @ 5 V
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Ta) 1.7A (Ta) 1.1A (Ta) 1.1A (Ta)

Fiche technique NDS356AP-NB8L005A PDF

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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