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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDS355AN-F169
NDS355AN-F169 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDS355AN-F169 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDS355AN-F169
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDS355AN-F169
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
NDS355AN.pdf
En stock: 4980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDS355AN-F169
onsemi - NDS355AN-F169 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDS355AN-F169

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tray  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Ta)  
Numéro de produit de base NDS355  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDS355AN-F169

Attributs du produit NDS355AN-F169 NDS355AN NDS355AN-F169 NDS356AP
Modèle de produit NDS355AN-F169 NDS355AN NDS355AN-F169 NDS356AP
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Tray Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 195 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V 195 pF @ 15 V 280 pF @ 10 V
Séries - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 1.9A, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 85mOhm @ 1.9A, 10V 200mOhm @ 1.3A, 10V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 5 V 5 nC @ 5 V 5 nC @ 5 V 4.4 nC @ 5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.7A (Ta) 1.7A (Ta) 1.7A (Ta) 1.1A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base NDS355 NDS355 - NDS356

Fiche technique NDS355AN-F169 PDF

Téléchargez NDS355AN-F169 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDS355AN-F169 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 31/Jan/2019.pdf
Feuilles de données
NDS355AN.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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