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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleNDD60N360U1T4G
NDD60N360U1T4G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NDD60N360U1T4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NDD60N360U1T4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NDD60N360U1T4G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NDD60N360U1.pdf
En stock: 4560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NDD60N360U1T4G
onsemi - NDD60N360U1T4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NDD60N360U1T4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 114W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc)  
Numéro de produit de base NDD60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NDD60N360U1T4G

Attributs du produit NDD60N360U1T4G NDD04N60ZT4G NDD04N60Z-1G NDD05N50Z-1G
Modèle de produit NDD60N360U1T4G NDD04N60ZT4G NDD04N60Z-1G NDD05N50Z-1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 500 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Tc) 4.1A (Tc) 4.1A (Tc) 4.7A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 114W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 2Ohm @ 2A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 18.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur DPAK DPAK I-PAK I-PAK
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 50 V 640 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base NDD60 NDD04 NDD04 NDD05

Fiche technique NDD60N360U1T4G PDF

Téléchargez NDD60N360U1T4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NDD60N360U1T4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 01/Sep/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 29/Aug/2017.pdf
Feuilles de données
NDD60N360U1.pdf
Conception / spécification PCN
NDD60NYYY 25/Jan/2017.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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