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AccueilCentre des produitsCircuits intégrés (ci)PMIC - Gate pilotesNCP5111DR2G
NCP5111DR2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

NCP5111DR2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
NCP5111DR2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-NCP5111DR2G
Modèle ECAD
Description des pièces
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
NCP5111.pdf
NCP5111.pdf
État RoHS
En stock: 77960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques NCP5111DR2G
onsemi - NCP5111DR2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - NCP5111DR2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Alimentation 10V ~ 20V  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries -  
Rise / Fall Time (Typ) 85ns, 35ns  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)  
Nombre de conducteurs 2  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.3V  
Type d'entrée Non-Inverting  
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V  
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET  
Configuration pilotée Half-Bridge  
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA  
courant de charge Synchronous  
Numéro de produit de base NCP5111  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi NCP5111DR2G

Attributs du produit NCP5111DR2G NCP5106BPG NCP5106BDR2G NCP5109BDR2G
Modèle de produit NCP5111DR2G NCP5106BPG NCP5106BDR2G NCP5109BDR2G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)
Type d'entrée Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Type de porte IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2.3V 0.8V, 2.3V 0.8V, 2.3V 0.8V, 2.3V
Numéro de produit de base NCP5111 NCP5106 NCP5106 NCP5109
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rise / Fall Time (Typ) 85ns, 35ns 85ns, 35ns 85ns, 35ns 85ns, 35ns
courant de charge Synchronous Independent Independent Independent
Current - Peak Output (Source, Évier) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Tension - Alimentation 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Séries - - - -
Nombre de conducteurs 2 2 2 2
Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 200 V
Configuration pilotée Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount

Fiche technique NCP5111DR2G PDF

Téléchargez NCP5111DR2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour NCP5111DR2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Material Declaration NCP5111DR2G.pdf
Emballage PCN
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire Revision 24/Feb/2015.pdf Copper Wire Update 13/Jan/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 20/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
NCP5111.pdf
Fiche technique HTML
NCP5111.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-NCP5111DR2G

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