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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MTB50P03HDLT4G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MTB50P03HDLT4G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MTB50P03HDLT4G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
MTB50P03HDL.pdf
État RoHS
En stock: 8714

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MTB50P03HDLT4G
onsemi - MTB50P03HDLT4G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MTB50P03HDLT4G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 25A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base MTB50  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MTB50P03HDLT4G

Attributs du produit MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDL MTB50P03HDLG MTB50P03HDLT4
Modèle de produit MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDL MTB50P03HDLG MTB50P03HDLT4
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V - 5V -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base MTB50 MTB50 MTB50 MTB50
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4900 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Cut Tape (CT)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 5 V 100 nC @ 5 V 100 nC @ 5 V 100 nC @ 5 V
Vgs (Max) ±15V - ±15V -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 125W (Tc) - 2.5W (Ta), 125W (Tc) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 25A, 5V 25mOhm @ 25A, 5V 25mOhm @ 25A, 5V 25mOhm @ 25A, 5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D²PAK D²PAK D²PAK D²PAK
Séries - - - -

Fiche technique MTB50P03HDLT4G PDF

Téléchargez MTB50P03HDLT4G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MTB50P03HDLT4G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Conception / spécification PCN
Cancellation 13/Aug/2020.pdf Mult Dev Material Chg 2/Oct/2018.pdf
Feuilles de données
MTB50P03HDL.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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