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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFMPSH10G
MPSH10G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MPSH10G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MPSH10G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MPSH10G
Modèle ECAD
Description des pièces
RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Fiche technique
MPSH10.pdf
En stock: 4080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MPSH10G
onsemi - MPSH10G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MPSH10G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 25V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur TO-92 (TO-226)  
Séries -  
Puissance - Max 350mW  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 Long Body  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Noise Figure (dB Typ @ f) -  
Type de montage Through Hole  
Gain -  
Fréquence - Transition 650MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) -  
Numéro de produit de base MPSH10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MPSH10G

Attributs du produit MPSH10G MPSH81 MPSH10 MPSH17
Modèle de produit MPSH10G MPSH81 MPSH10 MPSH17
Fabricant onsemi Central Semiconductor Corp NTE Electronics, Inc Fairchild Semiconductor
Numéro de produit de base MPSH10 - - MPSH17
Puissance - Max 350mW 350mW 350mW 350mW
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Collecteur (Ic) (max) - 50mA - -
Séries - - - -
Package composant fournisseur TO-92 (TO-226) TO-92 - TO-92-3
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) - TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 25V 20V 25V 15V
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V 60 @ 5mA, 10V 60 @ 4mA, 10V 25 @ 5mA, 10V
Gain - - - 24dB
Transistor Type NPN PNP NPN NPN
Fréquence - Transition 650MHz 600MHz 650MHz 800MHz
Noise Figure (dB Typ @ f) - - - 6dB @ 200MHz
Emballer Bulk Bulk Bag Bulk

Fiche technique MPSH10G PDF

Téléchargez MPSH10G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MPSH10G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 08/Nov/2014.pdf Multiple Devices Revision 26/Nov/2014.pdf
Feuilles de données
MPSH10.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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