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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - RFMMBTH10M3T5G
MMBTH10M3T5G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MMBTH10M3T5G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MMBTH10M3T5G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MMBTH10M3T5G
Modèle ECAD
Description des pièces
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Description détaillée
Emballage
SOT-723
Fiche technique
MMBTH10M3T5G.pdf
État RoHS
En stock: 780050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MMBTH10M3T5G
onsemi - MMBTH10M3T5G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MMBTH10M3T5G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 25V  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur SOT-723  
Séries -  
Puissance - Max 265mW  
Package / Boîte SOT-723  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Noise Figure (dB Typ @ f) -  
Type de montage Surface Mount  
Gain -  
Fréquence - Transition 650MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V  
Courant - Collecteur (Ic) (max) -  
Numéro de produit de base MMBTH10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MMBTH10M3T5G

Attributs du produit MMBTH10M3T5G MMBTH10-7-F MMBTH34 MMBTH11
Modèle de produit MMBTH10M3T5G MMBTH10-7-F MMBTH34 MMBTH11
Fabricant onsemi Diodes Incorporated onsemi onsemi
Noise Figure (dB Typ @ f) - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fréquence - Transition 650MHz 650MHz 500MHz 650MHz
Séries - - - -
Puissance - Max 265mW 300mW 225mW 225mW
Numéro de produit de base MMBTH10 MMBTH10 MMBTH34 MMBTH11
Courant - Collecteur (Ic) (max) - 50mA 50mA 50mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 25V 25V 40V 25V
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V 60 @ 4mA, 10V 15 @ 20mA, 2V 60 @ 4mA, 10V
Package / Boîte SOT-723 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Transistor Type NPN NPN NPN NPN
Package composant fournisseur SOT-723 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

Fiche technique MMBTH10M3T5G PDF

Téléchargez MMBTH10M3T5G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MMBTH10M3T5G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire 19/May/2010.pdf
Feuilles de données
MMBTH10M3T5G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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