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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMMBT6429LT1G
MMBT6429LT1G Image
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MMBT6429LT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MMBT6429LT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MMBT6429LT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
MMBT6428LT1, 6429LT1.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 940950

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques MMBT6429LT1G
onsemi - MMBT6429LT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MMBT6429LT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 45 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Puissance - Max 225 mW  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 700MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 100µA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200 mA  
Numéro de produit de base MMBT6429  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MMBT6429LT1G

Attributs du produit MMBT6429LT1G MMBT6427LT1G MMBT6428-SB10220 MMBT6517LT1G
Modèle de produit MMBT6429LT1G MMBT6427LT1G MMBT6428-SB10220 MMBT6517LT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 1.5V @ 500µA, 500mA 600mV @ 5mA, 100mA 1V @ 5mA, 50mA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Puissance - Max 225 mW 225 mW - 225 mW
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 45 V 40 V - 350 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 100µA, 5V 20000 @ 100mA, 5V 250 @ 100µA, 5V 20 @ 50mA, 10V
Fréquence - Transition 700MHz - 700MHz 200MHz
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200 mA 500 mA - 100 mA
Séries - - - -
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN NPN - Darlington NPN NPN
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA 1µA 10nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Numéro de produit de base MMBT6429 MMBT6427 - MMBT6517
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique MMBT6429LT1G PDF

Téléchargez MMBT6429LT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MMBT6429LT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SOT23 16/Sep/2016.pdf Copper Wire 19/May/2010.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold Compound 02/Apr/2020.pdf
Feuilles de données
MMBT6428LT1, 6429LT1.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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MMBT6429LT1G

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