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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMMBF2202PT1G
MMBF2202PT1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MMBF2202PT1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MMBF2202PT1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MMBF2202PT1G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 300MA SC70-3
Description détaillée
Emballage
SC-70, SOT-323
Fiche technique
MMBF2202PT1.pdf
En stock: 4760

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MMBF2202PT1G
onsemi - MMBF2202PT1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MMBF2202PT1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SC-70-3 (SOT323)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)  
Package / Boîte SC-70, SOT-323  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 5 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta)  
Numéro de produit de base MMBF22  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MMBF2202PT1G

Attributs du produit MMBF2202PT1G MMBF2201NT1 MMBF2201NT1G MMBF170Q-7-F
Modèle de produit MMBF2202PT1G MMBF2201NT1 MMBF2201NT1G MMBF170Q-7-F
Fabricant onsemi onsemi onsemi Diodes Incorporated
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 5 V 45 pF @ 5 V 45 pF @ 5 V 40 pF @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta) 300mA (Ta) 300mA (Ta) 500mA (Ta)
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta) - 150mW (Ta) 300mW (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 60 V
Package composant fournisseur SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323) SC-70-3 (SOT323) SOT-23-3
Numéro de produit de base MMBF22 MMBF22 MMBF2201 MMBF170
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 3V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.7 nC @ 10 V - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V 4.5V, 10V

Fiche technique MMBF2202PT1G PDF

Téléchargez MMBF2202PT1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MMBF2202PT1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire 26/May/2009.pdf
Feuilles de données
MMBF2202PT1.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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