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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMJD45H11-1G
MJD45H11-1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MJD45H11-1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MJD45H11-1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MJD45H11-1G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP 80V 8A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
NJVMJD45H11RLG Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 83830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MJD45H11-1G
onsemi - MJD45H11-1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MJD45H11-1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries -  
Puissance - Max 1.75 W  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 90MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 8 A  
Numéro de produit de base MJD45  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MJD45H11-1G

Attributs du produit MJD45H11-1G MJD45H11G MJD45H11RL MJD45H11T4
Modèle de produit MJD45H11-1G MJD45H11G MJD45H11RL MJD45H11T4
Fabricant onsemi onsemi onsemi STMicroelectronics
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V 40 @ 4A, 1V 60 @ 2A, 1V 40 @ 4A, 1V
Fréquence - Transition 90MHz 90MHz 90MHz -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V 80 V 80 V 80 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor Type PNP PNP PNP PNP
Séries - - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 8 A 8 A 8 A 8 A
Numéro de produit de base MJD45 MJD45 MJD45 MJD45
Package composant fournisseur I-PAK DPAK DPAK DPAK
Puissance - Max 1.75 W 1.75 W 20 W 20 W
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA 1µA 1µA 10µA
Emballer Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A

Fiche technique MJD45H11-1G PDF

Téléchargez MJD45H11-1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MJD45H11-1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
NJVMJD45H11RLG Datasheet.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 17/Feb/2023.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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