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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMJD44H11G
MJD44H11G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MJD44H11G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MJD44H11G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MJD44H11G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 80V 8A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
NJVMJD45H11RLG Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 90630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MJD44H11G
onsemi - MJD44H11G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MJD44H11G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Puissance - Max 1.75 W  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 85MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 8 A  
Numéro de produit de base MJD44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MJD44H11G

Attributs du produit MJD44H11G MJD44E3T4 MJD44H11-001 MJD44H11TF
Modèle de produit MJD44H11G MJD44E3T4 MJD44H11-001 MJD44H11TF
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A 1.5V @ 10mA, 5A 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA 10µA 1µA 10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 8 A 10 A 8 A 8 A
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Package composant fournisseur DPAK DPAK I-PAK D-Pak
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V 80 V 80 V 80 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Fréquence - Transition 85MHz - 85MHz 50MHz
Puissance - Max 1.75 W 20 W 1.75 W 1.75 W
Transistor Type NPN NPN - Darlington NPN NPN
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numéro de produit de base MJD44 MJD44 MJD44 -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V 1000 @ 5A, 5V 40 @ 4A, 1V 40 @ 4A, 1V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Séries - - - -

Fiche technique MJD44H11G PDF

Téléchargez MJD44H11G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MJD44H11G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly /Test Change 11/Apr/2023.pdf
Feuilles de données
NJVMJD45H11RLG Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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