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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleMJD32RLG
MJD32RLG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MJD32RLG - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MJD32RLG
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MJD32RLG
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP 40V 3A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
MJD31 (NPN), MJD32 (PNP).pdf
État RoHS
En stock: 75920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MJD32RLG
onsemi - MJD32RLG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MJD32RLG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries -  
Puissance - Max 1.56 W  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 3MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 50µA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3 A  
Numéro de produit de base MJD32  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MJD32RLG

Attributs du produit MJD32RLG MJD340-13 MJD340 MJD32CUQ-13
Modèle de produit MJD32RLG MJD340-13 MJD340 MJD32CUQ-13
Fabricant onsemi Diodes Incorporated onsemi Diodes Incorporated
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V 30 @ 50mA, 10V 30 @ 50mA, 10V 25 @ 1A, 4V
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3 A 500 mA 500 mA 3 A
Puissance - Max 1.56 W 15 W 15 W 1.6 W
Numéro de produit de base MJD32 MJD340 MJD34 MJD32
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 50µA 100µA (ICBO) 100µA 1µA
Transistor Type PNP NPN NPN PNP
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40 V 300 V 300 V 100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A - - 700mV @ 375mA, 3A
Package composant fournisseur DPAK TO-252-3 DPAK TO-252, (D-Pak)
Séries - - - Automotive, AEC-Q101
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fréquence - Transition 3MHz - - 3MHz
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique MJD32RLG PDF

Téléchargez MJD32RLG PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MJD32RLG - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
MJD31 (NPN), MJD32 (PNP).pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly /Test Change 11/Apr/2023.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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