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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMGSF1N03LT3G
MGSF1N03LT3G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MGSF1N03LT3G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MGSF1N03LT3G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MGSF1N03LT3G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
MGSF1N03L, MVGSF1N03L.pdf
En stock: 5320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MGSF1N03LT3G
onsemi - MGSF1N03LT3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MGSF1N03LT3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 420mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta)  
Numéro de produit de base MGSF1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MGSF1N03LT3G

Attributs du produit MGSF1N03LT3G MGSF1N02LT1G MGSF1P02LT1 MGSF1N02ELT1G
Modèle de produit MGSF1N03LT3G MGSF1N02LT1G MGSF1P02LT1 MGSF1N02ELT1G
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 420mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 5 V 125 pF @ 5 V 130 pF @ 5 V -
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA -
Numéro de produit de base MGSF1 MGSF1 MGSF1 MGSF1
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.6A (Ta) 750mA (Ta) 750mA (Ta) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.2A, 10V 90mOhm @ 1.2A, 10V 350mOhm @ 1.5A, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V -
Séries - - - *

Fiche technique MGSF1N03LT3G PDF

Téléchargez MGSF1N03LT3G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MGSF1N03LT3G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
MGSF1N03L, MVGSF1N03L.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 07/Jul/2010.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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