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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMCH6344-TL-H
MCH6344-TL-H Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MCH6344-TL-H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MCH6344-TL-H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MCH6344-TL-H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 2A 6MCPH
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
MCH6344.pdf
État RoHS
En stock: 4980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MCH6344-TL-H
onsemi - MCH6344-TL-H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MCH6344-TL-H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-MCPH  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 172 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base MCH6344  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MCH6344-TL-H

Attributs du produit MCH6344-TL-H MCH6342-TL-H MCH6351-TL-W MCH6337-TL-H
Modèle de produit MCH6344-TL-H MCH6342-TL-H MCH6351-TL-W MCH6337-TL-H
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 1.8V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Package composant fournisseur 6-MCPH 6-MCPH 6-MCPH 6-MCPH
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 172 pF @ 10 V 650 pF @ 10 V 2200 pF @ 6 V 670 pF @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 4.5A (Ta) 9A (Ta) 4.5A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±10V ±10V ±10V
Numéro de produit de base MCH6344 - MCH6351 MCH63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1A, 10V 73mOhm @ 2A, 4.5V 16.9mOhm @ 4.5A, 4.5V 49mOhm @ 3A, 4.5V
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 12 V 20 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V 8.6 nC @ 4.5 V 20.5 nC @ 4.5 V 7.3 nC @ 4.5 V
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -

Fiche technique MCH6344-TL-H PDF

Téléchargez MCH6344-TL-H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MCH6344-TL-H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Wire Update 02/Dec/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Transfer 04/Dec/2014.pdf
Feuilles de données
MCH6344.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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