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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - tableauxMC1413BDR2G
MC1413BDR2G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MC1413BDR2G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
MC1413BDR2G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-MC1413BDR2G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
Description détaillée
Emballage
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
MC1413(B), NCV1413B.pdf
MC1413(B), NCV1413B.pdf
État RoHS
En stock: 145900

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MC1413BDR2G
onsemi - MC1413BDR2G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - MC1413BDR2G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA  
Transistor Type 7 NPN Darlington  
Package composant fournisseur 16-SOIC  
Séries -  
Puissance - Max -  
Package / Boîte 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition -  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA  
Numéro de produit de base MC1413  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi MC1413BDR2G

Attributs du produit MC1413BDR2G MC1413BDG MC1413DR2G MC1413BPG
Modèle de produit MC1413BDR2G MC1413BDG MC1413DR2G MC1413BPG
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Numéro de produit de base MC1413 MC1413B MC1413 MC1413B
Courant - Collecteur Cutoff (Max) - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V 1000 @ 350mA, 2V 1000 @ 350mA, 2V 1000 @ 350mA, 2V
Package composant fournisseur 16-SOIC 16-SOIC 16-SOIC 16-PDIP
Puissance - Max - - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V 50V 50V 50V
Séries - - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA 500mA 500mA 500mA
Fréquence - Transition - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Transistor Type 7 NPN Darlington 7 NPN Darlington 7 NPN Darlington 7 NPN Darlington
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA 1.6V @ 500µA, 350mA 1.6V @ 500µA, 350mA 1.6V @ 500µA, 350mA

Fiche technique MC1413BDR2G PDF

Téléchargez MC1413BDR2G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour MC1413BDR2G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
MC1413(B), NCV1413B.pdf
Fiche technique HTML
MC1413(B), NCV1413B.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Chgs 8/Dec/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MC1413BDR2G

onsemi
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