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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleISL9N302AS3ST
ISL9N302AS3ST Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ISL9N302AS3ST - onsemi

Fabricant Modèle de produit
ISL9N302AS3ST
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-ISL9N302AS3ST
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
ISL9N302AS3ST.pdf
En stock: 3890

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ISL9N302AS3ST
onsemi - ISL9N302AS3ST Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - ISL9N302AS3ST

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 345W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base ISL9  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi ISL9N302AS3ST

Attributs du produit ISL9N302AS3ST ISL9N303AS3ST ISL9N306AD3ST ISL9N303AS3ST
Modèle de produit ISL9N302AS3ST ISL9N303AS3ST ISL9N306AD3ST ISL9N303AS3ST
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET® UltraFET™
Dissipation de puissance (max) 345W (Tc) 215W (Tc) 125W (Ta) 215W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 172 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 172 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base ISL9 ISL9 - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 15 V 7000 pF @ 15 V 3400 pF @ 15 V 7000 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 75A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V 6mOhm @ 50A, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 50A (Tc) 75A (Tc)
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) TO-252-3 (DPAK) D2PAK (TO-263)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

Fiche technique ISL9N302AS3ST PDF

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Informations environnementales
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Feuilles de données
ISL9N302AS3ST.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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