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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF630B_FP001
IRF630B_FP001 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF630B_FP001 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
IRF630B_FP001
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-IRF630B_FP001
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRF630B, IRFS630B.pdf
En stock: 5120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF630B_FP001
onsemi - IRF630B_FP001 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - IRF630B_FP001

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 72W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF63  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi IRF630B_FP001

Attributs du produit IRF630B_FP001 IRF630NPBF IRF630 IRF630NL
Modèle de produit IRF630B_FP001 IRF630NPBF IRF630 IRF630NL
Fabricant onsemi Infineon Technologies STMicroelectronics Infineon Technologies
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc) 9.3A (Tc) 9A (Tc) 9.3A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V
Numéro de produit de base IRF63 IRF630 IRF6 -
Séries - HEXFET® MESH OVERLAY™ II HEXFET®
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 72W (Tc) 82W (Tc) 75W (Tc) 82W (Tc)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220AB TO-220 TO-262
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRF630B_FP001 PDF

Téléchargez IRF630B_FP001 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour IRF630B_FP001 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRF630B, IRFS630B.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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