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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF76645S3S
HUF76645S3S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUF76645S3S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUF76645S3S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUF76645S3S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
HUF76645P3, HUF76645S3S.pdf
En stock: 4770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUF76645S3S
onsemi - HUF76645S3S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUF76645S3S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base HUF76  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUF76645S3S

Attributs du produit HUF76645S3S HUFA75307P3 HUFA75307T3ST HUFA75307P3
Modèle de produit HUF76645S3S HUFA75307P3 HUFA75307T3ST HUFA75307P3
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base HUF76 - HUFA75307 HUFA75
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 310W (Tc) 45W (Tc) 1.1W (Ta) 45W (Tc)
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-261-4, TO-261AA TO-220-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 15A (Tc) 2.6A (Ta) 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V 90mOhm @ 2.6A, 10V 90mOhm @ 15A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-220-3 SOT-223-4 TO-220-3
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V 20 nC @ 20 V 17 nC @ 20 V 20 nC @ 20 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Séries UltraFET™ UltraFET™ Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ UltraFET™
Tension drain-source (Vdss) 100 V 55 V 55 V 55 V

Fiche technique HUF76645S3S PDF

Téléchargez HUF76645S3S PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUF76645S3S - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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