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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF76429P3
HUF76429P3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUF76429P3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUF76429P3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUF76429P3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 47A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HUF76429P3, HUF76429S3S.pdf
En stock: 4700

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Spécifications

Spécifications techniques HUF76429P3
onsemi - HUF76429P3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUF76429P3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 47A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc)  
Numéro de produit de base HUF76  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUF76429P3

Attributs du produit HUF76429P3 HUF76432P3 HUF76437S3S HUF76423P3
Modèle de produit HUF76429P3 HUF76432P3 HUF76437S3S HUF76423P3
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 47A, 10V 17mOhm @ 59A, 10V 14mOhm @ 71A, 10V 30mOhm @ 35A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 47A (Tc) 59A (Tc) 71A (Tc) 35A (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 D²PAK (TO-263) TO-220-3
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Numéro de produit de base HUF76 - HUF76 -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 130W (Tc) 155W (Tc) 85W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V 1765 pF @ 25 V 2230 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±16V

Fiche technique HUF76429P3 PDF

Téléchargez HUF76429P3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUF76429P3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HUF76429P3, HUF76429S3S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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