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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF76407D3ST
HUF76407D3ST Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUF76407D3ST - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUF76407D3ST
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUF76407D3ST
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
HUF76407D3S.pdf
État RoHS
En stock: 84240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUF76407D3ST
onsemi - HUF76407D3ST Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUF76407D3ST

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries UltraFET  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base HUF76  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUF76407D3ST

Attributs du produit HUF76407D3ST HUF76409D3 HUF76407D3 HUF76145S3ST
Modèle de produit HUF76407D3ST HUF76409D3 HUF76407D3 HUF76145S3ST
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Séries UltraFET - UltraFET™ -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11.3 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tube Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 92mOhm @ 13A, 10V 63mOhm @ 18A, 10V 92mOhm @ 13A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-252AA I-PAK I-PAK TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 18A (Tc) 12A (Tc) 75A (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc) 49W (Tc) 38W (Tc) 270W (Tc)
Numéro de produit de base HUF76 - - -

Fiche technique HUF76407D3ST PDF

Téléchargez HUF76407D3ST PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUF76407D3ST - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Feuilles de données
HUF76407D3S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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