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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF75617D3S
HUF75617D3S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUF75617D3S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUF75617D3S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUF75617D3S
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
HUF75617D3/D3S.pdf
En stock: 4670

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUF75617D3S
onsemi - HUF75617D3S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUF75617D3S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 64W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc)  
Numéro de produit de base HUF75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUF75617D3S

Attributs du produit HUF75617D3S HUF75623P3 HUF75617D3ST HUF75545S3
Modèle de produit HUF75617D3S HUF75623P3 HUF75617D3ST HUF75545S3
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 20 V 52 nC @ 20 V 39 nC @ 20 V 235 nC @ 20 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 64W (Tc) 85W (Tc) 64W (Tc) 270W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Tc) 22A (Tc) 16A (Tc) 75A (Tc)
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 3750 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-252AA TO-220-3 TO-252AA I2PAK (TO-262)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base HUF75 HUF75 HUF75 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 16A, 10V 64mOhm @ 22A, 10V 90mOhm @ 16A, 10V 10mOhm @ 75A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 80 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole

Fiche technique HUF75617D3S PDF

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Feuilles de données
HUF75617D3/D3S.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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