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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF75345G3
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUF75345G3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUF75345G3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUF75345G3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HUF75345G3/P3/S3S.pdf
État RoHS
En stock: 15947

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUF75345G3
onsemi - HUF75345G3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUF75345G3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 325W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base HUF75345  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUF75345G3

Attributs du produit HUF75345G3 HUF75344A3 HUF75344P3 HUF75344G3
Modèle de produit HUF75345G3 HUF75344A3 HUF75344P3 HUF75344G3
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V 8mOhm @ 75A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-3P TO-220-3 TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base HUF75345 HUF75 HUF75344 HUF75344
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 325W (Tc) 288.5W (Tc) 285W (Tc) 285W (Tc)
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 4855 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V 3200 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 275 nC @ 20 V 208 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V 210 nC @ 20 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 TO-247-3

Fiche technique HUF75345G3 PDF

Téléchargez HUF75345G3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUF75345G3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Mold Chgs 11/May/2021.pdf
Feuilles de données
HUF75345G3/P3/S3S.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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