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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleHUF75329G3
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HUF75329G3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HUF75329G3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HUF75329G3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HUF75329G3, P3, S3S.pdf
En stock: 5260

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HUF75329G3
onsemi - HUF75329G3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HUF75329G3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries UltraFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 49A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 128W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Tc)  
Numéro de produit de base HUF75  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HUF75329G3

Attributs du produit HUF75329G3 HUF75329D3ST HUF75321S3S HUF75321S3S
Modèle de produit HUF75329G3 HUF75329D3ST HUF75321S3S HUF75321S3S
Fabricant onsemi onsemi onsemi Harris Corporation
Package / Boîte TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49A (Tc) 20A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 49A, 10V 26mOhm @ 20A, 10V 34mOhm @ 35A, 10V 34mOhm @ 35A, 10V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-252AA D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 20 V 65 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V
Numéro de produit de base HUF75 HUF75329 HUF75 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V 1060 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 128W (Tc) 128W (Tc) 93W (Tc) 93W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

Fiche technique HUF75329G3 PDF

Téléchargez HUF75329G3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HUF75329G3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
HUF75329G3, P3, S3S.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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