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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTG30N60B3D
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTG30N60B3D - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGTG30N60B3D
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGTG30N60B3D
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 60A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HGTG30N60B3D.pdf
État RoHS
En stock: 5330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTG30N60B3D
onsemi - HGTG30N60B3D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGTG30N60B3D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A  
Condition de test 480V, 30A, 3Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 36ns/137ns  
énergie de commutation 550µJ (on), 680µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 55 ns  
Puissance - Max 208 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 170 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 220 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A  
Numéro de produit de base HGTG30N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGTG30N60B3D

Attributs du produit HGTG30N60B3D HGTG30N60A4 HGTG40N60A4 HGTG30N60B3
Modèle de produit HGTG30N60B3D HGTG30N60A4 HGTG40N60A4 HGTG30N60B3
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 36ns/137ns 25ns/150ns 25ns/145ns 36ns/137ns
Courant - Collecteur (Ic) (max) 60 A 75 A 75 A 60 A
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A 2.6V @ 15V, 30A 2.7V @ 15V, 40A 1.9V @ 15V, 30A
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 220 A 240 A 300 A 220 A
Condition de test 480V, 30A, 3Ohm, 15V 390V, 30A, 3Ohm, 15V 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
gate charge 170 nC 225 nC 350 nC 170 nC
Séries - - - -
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Numéro de produit de base HGTG30N60 HGTG30 - HGTG30
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
énergie de commutation 550µJ (on), 680µJ (off) 280µJ (on), 240µJ (off) 400µJ (on), 370µJ (off) 500µJ (on), 680µJ (off)
type de IGBT - - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 55 ns - - -
Puissance - Max 208 W 463 W 625 W 208 W

Fiche technique HGTG30N60B3D PDF

Téléchargez HGTG30N60B3D PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGTG30N60B3D - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019.pdf
Feuilles de données
HGTG30N60B3D.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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