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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleHGTG20N60B3D
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HGTG20N60B3D - onsemi

Fabricant Modèle de produit
HGTG20N60B3D
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-HGTG20N60B3D
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 600V 40A 165W TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
HGTG20N60B3D.pdf
État RoHS
En stock: 6117

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HGTG20N60B3D
onsemi - HGTG20N60B3D Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - HGTG20N60B3D

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A  
Condition de test -  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -  
énergie de commutation 475µJ (on), 1.05mJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 55 ns  
Puissance - Max 165 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT -  
gate charge 80 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A  
Numéro de produit de base HGTG20N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi HGTG20N60B3D

Attributs du produit HGTG20N60B3D HGTG20N60A4 HGTG20N60B3 HGTG20N60A4
Modèle de produit HGTG20N60B3D HGTG20N60A4 HGTG20N60B3 HGTG20N60A4
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Td (marche / arrêt) à 25 ° C - 15ns/73ns - 15ns/73ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A 70 A 40 A 70 A
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160 A 280 A 160 A 280 A
gate charge 80 nC 142 nC 80 nC 142 nC
énergie de commutation 475µJ (on), 1.05mJ (off) 105µJ (on), 150µJ (off) 475µJ (on), 1.05mJ (off) 105µJ (on), 150µJ (off)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600 V 600 V 600 V 600 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Temps de recouvrement inverse (trr) 55 ns - - -
Puissance - Max 165 W 290 W 165 W 290 W
Numéro de produit de base HGTG20N60 HGTG20 HGTG20 -
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247
Condition de test - 390V, 20A, 3Ohm, 15V 480V, 20A, 10Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
type de IGBT - - - -
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A 2.7V @ 15V, 20A 2V @ 15V, 20A 2.7V @ 15V, 20A
Séries - - - -

Fiche technique HGTG20N60B3D PDF

Téléchargez HGTG20N60B3D PDF DataSheets et Documentation onsemi pour HGTG20N60B3D - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Obsolete Notice 30/Sep/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 08/Oct/2020.pdf
Feuilles de données
HGTG20N60B3D.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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